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[新聞]〈三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體〉〈TechNews〉〈2018-07-011〉[複製鏈接]

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樓主
發表於 2018-7-13 05:44 PM|只看該作者|倒序瀏覽
本帖最後由 iiifgh 於 2018-7-13 05:45 PM 編輯

三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體
科技新報 TechNews-作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30 |



全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布,正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。此產品不但堆疊數為目前最高,且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面,使傳輸速率達到 1.4Gbps。
...
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頭香
發表於 2018-7-31 02:44 AM|只看該作者
若瀏覽伊莉的時侯發生問題或不正常情況,請使用Internet Explorer(I.E)。
邏輯電壓一直降低,從5V變成3.3V,而後變成2.5V,之後是今日常見的1.8V,沒想到1.2V也出來了。

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發表於 2018-8-7 08:28 AM|只看該作者
所有積分大於負-100的壞孩子,將可獲得重新機會成為懲罰生,權限跟幼兒生一樣。
感謝iiifgh 大大無私分享-thank you
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