(中央社訊息服務20090802 10:44:07)美國商業資訊愛達荷州BOISE消息——科技股份有限公司(紐約證券交易所:MU)今日宣佈生產出業界首款DDR3低負載雙列直插記憶體模組 (LRDIMM),並將於今年秋季開始推出16GB版本的樣品。透過減少伺服器記憶體匯流排上的負載,美光的LRDIMM可用以支援更高的資料頻率並顯著增加記憶體容量。
新的LRDIMM將採用美光先進的1.35v 2Gb 50nmDDR3記憶體晶片製造。由於晶片的高密度和業界領先的小尺寸,使美光能夠輕鬆並具成本效益地增加伺服器模組的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證,將很快進行量產。
如今多數中階企業伺服器每系統使用大約32GB的DRAM記憶體,但根據Gartner公司近期的一份報告(2009年5月),此數字預計在2012年將增至三倍以上。隨著伺服器製造商繼續利用多核心處理器和資料中心選擇有效率的虛擬化技術,記憶體要求達到前所未有的高度。透過增加伺服器系統具備的可用記憶體,系統能夠同時執行更多的程式、更有效地處理更大的資料檔案,通常呈現出更好的整體系統性能。
美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離記憶體緩衝 (iMB) 晶片而非暫存器,以在記憶體和處理器之間傳輸資料時減少匯流排負載。相較於目前標準的DDR3伺服器模組 -暫存式DIMM (RDIMM),美光新的雙排LRDIMM模組可減少此負載50%,四排LRDIMM模組則可減少75%。透過減少匯流排負載,美光的LRDIMM使伺服器能夠處理更高的資料頻率,從而提高整體系統性能和支援更多的模組數量以獲得更大的系統記憶體容量。
目前使用RDIMM的典型伺服器系統每個處理器最多可以容納3個四排16GB RDIMM模組。不過,同樣的系統每處理器最多可以支援9個四排16GB LRDIMM,使記憶體容量從48GB增加到144GB。與RDIMM的性能水準相比較,美光的16GB LRDIMM增加系統記憶體頻寬57%。由於伺服器功耗仍是客戶的首要考慮,美光的LRDIMM也將以業界最低的1.35伏電壓運作。
美光DRAM市場行銷副總裁Robert Feurle表示:「隨著虛擬化的興起,我們新的16GB模組使客戶能夠方便地擴大他們的記憶體容量。傳統的RDIMM由於其負載情況限制了可以容納的記憶體數量,而LRDIMM透過減少模組負載消除了該問題。由於我們的LRDIMM設計採用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3晶片,這減少了模組晶片數量,因此我們能夠為客戶提供更加具有成本效益和有效率的方法來提高伺服器記憶體容量和性能,同時還降低功耗水準。」
Inphi市場行銷副總裁Paul Washkewicz表示:「採用此記憶體技術方式將進一步實現伺服器虛擬化和雲端運算。此技術為資料中心伺服器提供迫切需要的更大頻寬和記憶體容量。」
IDT企業運算部副總裁兼總經理Mario Montana表示:「作為AMB+ 和 DDR3 暫存器/PLL這樣低功耗記憶體周邊設備的領導廠商,IDT很高興再次將我們經過產業證明的技術和專長應用到這個針對DDR3 LRDIMM的新類別的記憶體緩衝區。我們很高興與美光以及生態系統夥伴合作,為高性能運算市場實現創新的解決方案。」
產品供貨
目前美光已經將8GB LRDIMM的樣品提供部分選定公司。16GB LRDIMM的量產預計將於2010年開始。
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