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| 如果發覺自己無法使用一些功能或出現問題,請按重新整理一次,並待所有網頁內容完全載入後5秒才進行操作。 【經濟日報╱記者簡永祥、何易霖卅台北報導】
| 2010.06.25 04:37 am |
| | | 旺宏總經理盧志遠。
記者陳俊吉卅攝影 | 旺宏(2337)在高容量儲存型快閃記憶體(NAND Flash)獲得重大技術突破,以自有技術,完成3D NAND Flash開發,突破NAND Flash微縮至25奈米以下的物理限制。 旺宏總經理盧志遠昨(24)日表示,旺宏相關技術,已獲有「IC整合技術奧林匹克競賽」之譽的國際大型積體電路(VLSI)大會,評選今年八篇「重要焦點」論文之一,也是台灣唯一獲VLSI列入重要焦點論文的廠商。 盧志遠強調,這項技術成就,等於宣告旺宏已進入IC界號稱「核子俱樂部」的成果,擁有製造強大核子彈的實力。他認為,全球記憶體廠很快會認同旺宏這技術成果,旺宏願意與各記憶體廠洽談專利授權。 盧志遠表示,旺宏以自有的BE-SONOS技術,利用三維記憶體堆疊的方法,幾乎等於用75 奈米製程,就能達25奈米以下製程的效能及成本,容量密度也比傳統高很多,為下世代高容量NAND Flash發展,開啟新的里程碑。旺宏昨天股價下跌0.1元、收在22.4元。 盧志遠表示,旺宏這次在VLSI展示的3D NAND Flash新技術,是採用旺宏自有的RE-SONOS進行八層結構單元的堆疊,幾乎是全世界最小利用三維垂直閘極的NAND Flash,沒有單元記憶體垂直方向相互干擾問題,也具備良好記憶和讀取電流的效能。
旺宏將視市場發展情況,評估是否切入高容量NAND Flash。目前旺宏跨足進軍NAND Flash 仍依客戶要求,先推出較低容量的NAND Flash,不過,以旺宏領先全球獨步開發成功3D NAND Flash的成果,將成為旺宏未來在NAND Flash大展身手的利器。
【2010/06/25 經濟日報】 | ... |
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