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太陽能電池材料硒化錫納米線化學合成研究取得進展
中科院大連化學物理研究所潔淨能源國家實驗室太陽能研究部、催化基礎國家重點實驗室分子催化與原位表徵研究組(503組)李燦院士、張文華研究員領導的小組在太陽能電池新材料硒化錫(SnSe)的合成研究中取得進展。
硒化錫是一種重要的IV-VI族半導體,其體相材料的間接帶隙為0.90 eV,直接帶隙為1.30 eV,可以吸收太陽光譜的絕大部分;作為一種含量豐富、環境友好且化學穩定的半導體材料,硒化錫是新型太陽能電池潛在候選材料之一,因此其納米材料的合成受到人們的關注。本工作利用溶液化學的優勢,採用晶種誘導的方法首次生長了直徑約20nm的SnSe單晶納米線,長度從數百納米到數十微米可調。光譜表徵表明,硒化錫單晶納米線顯示明顯的量子限域效應:其間接和直接帶隙分別達到1.12 eV和1.55 eV,分別與太陽能電池材料Si和CdTe的帯隙非常接近,顯示出該材料在發展新型太陽能電池方面的潛力
同時,研究小組還與中科院長春光機所的劉星元研究員合作,組裝了基於P3HT和SnSe納米線的雜化太陽能電池,初步考察了硒化錫單晶納米線的光電性能... |
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