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[應用科學]韓國科學家發現全新儲存技術﹐可讓記憶體容量增加1,000倍[複製鏈接]

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樓主
發表於 2020-8-24 11:04 AM|只看該作者|正序瀏覽
若有安裝色情守門員,可用無界、自由門等軟件瀏覽伊莉。或使用以下網址瀏覽伊莉: http://www.eyny.com:81/index.php
     
  如何提升記憶體的儲存容量﹐是記憶體產業永不變的目標﹐如今﹐這項進展又有了新突破。根據外國媒體報導﹐韓國UNIST能源與化學工程學院教授與研究團隊發現了一種新的物理現象﹐有望將記憶體晶片的儲存容量提升1,000倍﹔目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。
  FRAM透過所謂的極化現象(Polarization)儲存訊息﹐優點在於速度更快﹑功耗更低﹐甚至電源關閉後仍能保留儲存的資料﹔而目前對FRAM的技術研究﹐多集中在減小鐵電域(Ferroelectric Domains)大小同時還能保持存儲容量﹔因鐵電域形成(發生自發極化的微小區域)至少需要成千上萬個原子。
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頭香
發表於 2020-8-24 09:58 PM|只看該作者
這種超高密度的記憶體,可能問題會出現在讀寫速度
導致未能那麼快真正的商業化
若瀏覽伊莉的時侯發生問題或不正常情況,請使用Internet Explorer(I.E)。

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