ADATA 針對玩家市場推出全新 XPG V1.0 DDR3-1600 C9 8GB x 2 記憶體模組，型號為「 AX3U1600W8G9-BB 」，採用黑色散熱片配搭黑色 PCB 設計，雖然預設規格為 DDR3-1600 ，但模組採用了全新的 Micron D9QBJ 顆粒，提供了大幅的時脈提升空間，超頻能力與性價比大幅提升。
全新 XPG v1 家族成員
ADATA XPG v1.0 DDR3-1600 C9 8GB x 2 記憶體模組
ADATA 針對玩家市場推出了全新 XPG v1 DDR3-1600 8GBx2 記憶體模組，型號為「 AX3U1600W8G9-BB 」，規格為 DDR3-1600 CL 9-9-9-24 ，工作電壓為 1.5V ，主要定位於 Gamer 及入門 Overclocker 市場，由於擁有高性價比及大幅度的超頻空間作賣點，採用被稱為 Micron 新 D9 的顆粒，受到不少外國玩家的注目。
「 AX3U1600W8G9-BB 」採用了黑色鋁散熱片配搭黑色 PCB ，賣相相當不俗，但其實這並非廠方刻意配搭的造型，原來 ADATA XPG V1.0 系列的鋁散熱片顏色是用作分辨產品規格， DDR3-1600 C11 採用藍色， DDR3-1600 C9 則採用黑色，而更高階的 DDR3-1866+ 型號則採用紅色。
ADATA XPG v1.0 續漸由綠色 PCB 轉至黑色 PCB ， AX3U1600W8G9-BB 採用 6 Layers PCB 設計
以往 XPG v1.0 系列記憶體仍然以綠色 PCB 為主，但廠方已續漸在新一代中轉用黑色 PCB ，令產品的質感有所提升，並與針對一般 Desktop 市場的綠色 PCB 主流級記憶體，作出更大的市場區間。
Micron D9QBJ 顆粒
拆下「 AX3U1600W8G9-BB 」散熱器後，可以看到記憶體模組採用 16 顆 Micron D9QBJ 顆粒，這顆粒正式型號為 MT41K512M8RH-125 、 E-Die 顆粒，每顆容量 512Mb x 8 ，它其實是針對低功耗應用的產品，在 1.35V 工作電壓下官方規格為 DDR3-1600 C11 ，而 ADATA 則透過篩選程序，打造成標準 Desktop 規格的 1.5V 工作電壓下運作 DDR3-1600 C9 的記憶體模組産品。
其實這批 Micron D9QBJ 顆粒模組， ADATA 原本可以制作成 DDR3-1866 或是 DDR3-2133 型號的 XPG v1 ，但由於現時 XPG 系列已被分成 3 個不同版本， v1 被定位於主流入門級市場並與 v2 及 v3 作出市場區間， ADATA 為入門超頻玩家才會出現了採用 Micron D9QBJ 顆粒的 XPG v1 DDR3-1600 8GB 模組。
Micron D9QBJ 顆粒 512Mb x 8 ，官方規格為 DDR3L-1600 C11 1.35V
Micron 記憶體顆粒曾經在超頻記憶體市場稱霸，擁有低延遲值特性成為玩家們的所愛， D9GCT 、 D9GMH 及 D9GKX 均曾經在 DDR2 、 DDR3 記憶體市場留下光輝紀錄，由於 Micron 的記憶體顆粒上的五位編號均以「 D9 」起始， Micron 超頻模組均被稱為「 D9 」模組。
雖然「 D9 」擁有極低的延遲值對電壓非常敏感，但電壓卻對時脈提升並無幫忙，在 DDR3 前段由於系統 IMC 技術所限，記憶體時脈有限，「 D9 」受到玩家青睞，但當 IMC 開始內建於處理器後令 DDR3 時脈得以提升， Micron D9 時脈無法提升的問題開始浮現，出現 DDR3-2000 時脈瓶頸，「 D9 」顆粒漸漸被玩家們遺忘。
新一代 Micron D9QBJ 顆粒，被市場稱為新「 D9 」，改用了全新的 25nm 制程，主打於 DDR3L 應用但卻保留了不俗的超頻能力，現時重新採用新「 D9 」顆粒的廠商不多，期望未來會有更多廠商推出基於「 D9 」顆粒的入門級模組產品，為市場提供高性價比的 8GB DDR3 記憶體模組産品。
ADATA XPG v1 DDR3-1600 C9 8GB x2 的 XMP 預設值
測試平台︰
本次測試平台為 ASROCK Z97 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-4790K 處理器，繪圖卡採用 GALAXY GeForce GT 630 ，作業系統則採用 Microsoft Windows 7 SP1 ，每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才當成測試成功。
AMT64 測試︰
AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準，用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡，透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試，可以分辨出模組無法通過測試的顆粒，是工廠級的記憶體測試。
ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組採用不俗的超頻空間，雖然 XMP 預設為 DDR3-1600 9-9-9-24 2T ，但修改為 1T 並不加任何電壓下，可以穩定運作於 DDR3-1800 9-9-9-24 1T 並通過 AMT64 測試。
Micron D9QBJ 顆粒碰到無法進一歩提升時脈，首要關鍵是 tRCD 時序，緊接是 tRP 與 tRAS ，最後才選擇放鬆 CL 值， Micron D9QBJ 在時脈提升時對於 Secondary Timings 設定並不太敏感，但需要修改 Tertiary Timing 的 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 作出配合。
筆者測試 ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組，在 DDR3-1866 下把 tRCD 修改為 10 變成 (CL9-10-9-24 1T) ，電壓略增至 1.52v ，進一步提升至 DDR3-2000 需要把 Timing 修改至 CL10-10-10-28 1T ，電壓略增至 1.55V ，同時需要把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 9 改為 10 作出配合。
ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」今代主打輕鬆超至 DDR3-2133 ，當然這並不是 XMP 預設值下達成，筆者把 Timing 修改至 CL10-11-10-28 1T ，電壓增至 1.59v 就能完成 AMT64 測試，但要進一步提升時脈所需的工作電壓將會非線性上升。
在 DDR3-2200 下需要把 Timing 設置為 CL 11-11-11-28 1T ，同時把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 10 改為 11 作出配合，電壓亦進一步上升至 1.65V 。 DDR3-2400 下則需要把 Timing 設置為 CL 11-12-12-32 1T ，電壓需提升至 1.72V ，如果把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 11 放寬至 12 ，所需工作電壓則可以降至 1.68V 但性能卻會明顯下跌。
Micron D9 系記憶體顆粒都以吃電壓見稱， D9QBJ 顆粒亦不例外，提升電壓可望把 Timing 收緊以提升性能，但顆粒在 DDR3-2500 ~ DDR3-2600 出現時脈牆，在 DDR3-2400 以上速度再提升電壓並無助於進一步提升運作時脈。如果用作 24 X 7 長時間運作，建議使用工作電壓在 1.65V 或以下的建議設定。
Memory Performance Test :
從測試可以看到， ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組在 XMP 預設值下，記憶體寫入性能為 25.4GB/s 、讀取性能為 23.9GB/s ，拷貝為 21.3GB/s 。在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度，記憶體寫入性能為 29.0GB/s 、讀取性能為 27.2GB/s ，拷貝為 24.5GB/s ，性能提升約 15 ~ 18% 。
當用家提升記憶體模組時脈，需要調整延遲值作出配合，性能成長幅度無法像 DDR3-1600 9-9-9 直接超至 DDR3-1800 9-9-9 那麼明顯，筆者會建議用家以 DDR3-2133 CL 10-11-10 作為 24 x 7 長時間運作設定，記憶體寫入性能為 32.8GB/s 、讀取性能為 32.0GB/s ，拷貝為 28.8GB/s 。對於追求高性能玩家來說，目標當然是放在 DDR3-2400 CL11-12-12 ，所需電壓將大幅提升，雖然 Micron 新 D9 顆粒仍然保持吃壓特性，但用家需確保機箱散熱對流效果理想，否則可能無法保持長期穩定運作。
延遲值方面， ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體在 XMP 預設值下記憶體延遲約為 53.3ns ，在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度則降至 48.5ns ，由於再進一步提升記憶體時脈，需要調整延遲值作出配合，因此記憶體延遲表現並沒有像 DDR3-1600 提升至 DDR3-1800 來得明顯。
由於 DDR3-2133 提升至 DDR3-2200 的時脈幅度較少，但卻卡在 CL 值的牆壁之間需要降至 CL11 ，因此 DDR3-2200 的記憶體延遲幾近沒有成長，由 45.4ns 只輕微降至 45.3ns ，相反 DDR3-2200 與 DDR3-2400 之間則有明顯差異，由 45.3ns 降至 43.34ns ，是繼 DDR3-1600 提升至 DDR3-1800 以來性能提升最大的幅度。
記憶體頻寬方面， ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體在 XMP 預設值下為 21.59GB/s ，在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度提升至 22.45GB/s 。
從測試可以看到記憶體頻寬十分著重要 Timing 設定，儘管記憶體時脈進一步提升，但用家需要調整延遲值作出配合，因此記憶體時脈下升對記憶體資料總吞吐量的成長較不明顯。
評語︰
對於追求穩定的遊戲玩家來說，筆者會建議採用 XMP 設定並把時脈提升至 DDR3-1800 9-9-9-24 1T ，絕大部份 Micron D9QBJ 模組都可以在不加壓下作 24x7 運作。在性能與穩定之間作出平衡，筆者會建議運作於 DDR3-2133 C10-11-10-28 1T ，而進階超頻玩家則可考慮超頻至 DDR3-2400 ，在有效的散熱下要穩定長行並沒有問題，但 DDR3-2400 以上是新「 D9 」的時脈牆，就算在極冷下也不易穩定運作。
昔日 D9 憑著低延遲值和吃壓的特性，稱霸了 DDR2 及 DDR3 前期，只可惜顆粒受限於時脈提升而被其他顆粒所取代， ADATA 這次採用了被稱為新「 D9 」的 Micron D9QBJ 顆粒，進軍 DDR3-1600 入門級玩家市場，並以一定的超頻能力作賣點，相對於現時主流市面上 8GB 模組採用 Hynix AFR 或是 Hynix MFR ， ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體採用了 Micron D9QBJ 擁有較佳的延遲值在性能上力壓 Hynix 系顆粒，對於追求高容量與性能的玩家來說，將會是一個高性價比的記憶體模組不俗之選。
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