DRAMeXchange認為， NAND Flash 市場初期在震災區資訊不明及業者預期可能缺貨等不確定因素的影響下，現貨市場本週開盤便先行出現恐慌性的急漲，連帶地也帶動了3月上旬主流 NAND Flash 合約均價大漲約5~15%左右，目前 NAND Flash 市場關切的供給面不確定性因素主要有二，一是震災後IC上游原物料供應狀況可能會吃緊，二是東芝(Toshiba)位於四日市(Yokkaichi)的NAND Flash廠區於震災期間的晶圓受損狀況不明。
因為 NAND Flash上游原物料及設備供應商的廠房有些是位於日本東北及關東地區，故因震災過後造成當地限電或供電不穩，以及聯外運輸基礎設施損毀等因素，將可能給下游NAND Flash廠商帶來維持正常穩定生產上的不確定性，尤其是信越化學(Shin-Etsu Chemical)有部份的IC矽晶圓產能是來自福島縣(Fukushima)的白河(Shirakawa)廠，目前仍在停工檢修中，且另一家全球主要供應商勝科(Sumco)在山形(Yamagata)縣的米澤(Yonezawa)廠也目前也暫時停工檢修中，另外受損的福島核電廠迄今仍未修復也將造成當地的供電問題。
DRAMeXchange指出，由於日本位於地震帶上，故日本的半導體相關業者對廠房設施的設計及建造均有預先做防震的考量，故此次大地震期間多數半導體相關業者的廠房設備並未發生嚴重的損毀狀況，故震災後的供電不穩目前成為災區廠商生產上的主要問題；再者，據我們了解目前主要NAND Flash廠商都有採取分散矽晶圓採購來源的政策，一般而言，業者們的矽晶圓庫存水位約在1.5~2個月左右，短期而言，尚不至於影響到NAND Flash廠商的正常生產。
但由於信越是全球主要的IC矽晶圓供應商之一，若信越的白河廠能在一個月內回復到正常穩定的生產狀況，應該就不致於會使IC業者在2Q11面臨矽晶圓供貨可能趨緊的狀況，有鑑於震災後許多國家紛紛投入協助日本的救災，且日本民眾震災後表現出冷靜團結堅毅地搶修災區下，相信東北災區的限電問題應該能儘早獲得解決；此外，目前NAND Flash廠商們對2ynm與1xnm等新製程技術的微縮顯影(lithography)設備，大多數將會以採用非日系的供應商為主，故預期在這方面也將不會對業者未來的生產計畫有所影響。
另外據了解，Toshiba/SanDisk位於關西(Kansai)地區四日市的Fab 3與 Fab 4合資12吋廠，因距離日本東北9.0級震央約500哩(miles)，故在3月11日僅受到約2~3級的地震影響，廠房設備並未受損，在短暫停工檢修及校正調整機台後，隨即已回復到正常的生產狀況，但該廠區仍會因大地震的影響而產生一些晶圓投片的減損。
初步估計，自上週日本地震頻發以來該陣營所產生的晶圓投片減損量，可能會造成Toshiba/SanDisk在第二季上半的總產出量減少10%以下，在其他NAND Flash廠商暫未增加2Q11供給量的情況下，預估此次日本大地震將可能造成2Q11全球NAND Flash總位元供給量減少約4%以下。
就2Q11 NAND Flash市場的展望而言，雖然Toshiba/SanDisk陣營的供給量減少將可能為2Q淡季帶來新的利多因素，但由於來自non-Apple的平板電腦廠商的2Q11出貨量也可能不如先前市場的預期多，再加上3到6月仍是處於記憶卡及UFD通路市場的傳統淡季，而短期內日本市場對NAND Flash終端產品的需求也可能會比廠商原先預期的弱。
此外，萬一發生某些關鍵原料零件短缺或短期內原物料成本上漲過大，也可能對NAND Flash終端應用產品的短中期出貨量及銷貨量帶來不利的影響，故我們在考量這些主要的市場多空因素後，預期2Q11的供過於求缺口可能會因震災影響而縮小。
DRAMeXchange預期，地震剛發生後NAND Flash現貨市場在可能缺貨的恐慌性心理下，會出現比較大的急漲，但隨著上述的兩個主要供給面上的不確定狀況在稍後將會趨於較明朗後，市場的反應將會趨於理性，而使得市場價格較能反應真實的2Q11供需狀況而趨於緩和。
之後在2Q11中日本震災區的復原狀況及NAND Flash供給量也將會獲得進一步地改善下，預期2Q淡季效應也將會逐漸發酵而使價格隨之而走軟；故在日本地震意外使3月份原先因2Q淡季及1Q季底效應下跌的走勢成反轉成為止跌急彈的狀況下，故我們初步預估2011年的NAND Flash ASP的年跌幅將可能會略為減緩。
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