曝光機大廠 ASML 在 imec 的 ITF World 2024 會議上宣布，其首款 High-NA EUV 曝光機現已創下新的晶圓製造速度紀錄，超過了兩個月前創下的紀錄。
根據 ASML 前總裁兼技術長，目前為該公司顧問的 Martin van den Brink 的說法，新的 High-NA EUV 曝光機晶圓生產速度達到了每小時 400 至 500 片晶圓，是當前標準 EUV 每小時 200 片晶圓的兩倍到兩倍半的速度。
Martin van den Brink 指出，該公司已經可以開發更新一代 Hyper-NA EUV 曝光機了，以進一步擴展其 High-NA EUV 曝光機共享潛在路線圖。而且，透過 High-NA EUV 曝光機速度的提高，也就是達到每小時 400 至 500 片晶圓，是當前標準 EUV 每小時 200 片晶圓的兩倍以上速度，來提升產能，並降低成本。
現階段經過進一步調整，ASML 現在已經用其試驗性質 High-NA EUV 曝光機上列印了生產 8 奈米線寬，這是現階段 EUV 曝光機的新紀錄，這打破了該公司在 4 月初當時創下的紀錄。當時該公司宣布，已使用位於 ASML 荷蘭總部與 imec 聯合實驗室的試驗 High-NA EUV 曝光機列印了 10 奈米線寬。就發展路線來說，ASML 的標準 EUV 曝光機可以列印 13.5 奈米的線寬，而新的 High-NA EUV 曝光機則是透過列印 8 奈米線寬來創建更小的電晶體。因此，ASML 現在已經證明其機器可以滿足其基本規格。
Martin van den Brink 強調，ASML 當前已經取得進展，能夠在整個列印線寬作業上將其低至 8 奈米紀錄，並進行校正，而且還具有一定程度的重疊覆蓋。因此，ASML 對 High NA EUV 曝光機的發展充滿信心，預計未來將能夠在突破其極限。而除了 ASML 自己在進行 High NA EUV 曝光機的測試之外，目前唯一安裝完成 High NA EUV 曝光機的英特爾，也在美國俄勒岡州的 D1X 工廠投入測試工作。預計將在 intel 18A 節點製程上進行技術的研發與訓練工作，之後再將其投入到 intel 14A 節點製程的大量生產當中。
(首圖來源：imec)
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