根據外媒報導，台積電在 2019 年開始，在其 N7+ 製程上開始使用 EUV 微影曝光技術製造晶片時，當時台積電擁有的 EUV 微影曝光設備占全球市場的 42%。即使 ASML 在2020 年增加了 EUV 微影曝光設備的的出貨量，台積電所擁有的 EUV 微影曝光設備占據了全球市場的 50%。而到了 2024 年，台積電的 EUV 微影曝光設備數量，預計將比 2019 年當時增加 10 倍。儘管三星和英特爾都在提高自己的使用 EUV 微影曝光設備生產晶片的產能，但台積電目前仍占有全球 EUV 微影曝光設備總數的 56%。因此，可以說，台積電很早就決定大規模進軍採用 EUV 微影曝光設備，這使得台積電今天仍然擁有 EUV 微影曝光設備的最大占比。
值得注意的是，台積電採用 EUV 微影曝光設備生產的晶圓數量增加幅度，比擁有 EUV 微影曝光設備的增加幅度更大，也就是台積電目前以 EUV 微影曝光設備生產的晶圓數量是 2019 年的 30 倍。因此，很顯然這一切都是透過台積電內部開發的創新技術來達成。
台積電表示，自 2019 年以來，其透過 EUV 微影曝光設備生產的晶圓產能已提高兩倍。此外，台積電還大幅改善了 EUV 光罩，使其使用壽命提高了四倍，將每個光罩的產量提高了4.5 倍，並將缺陷率大幅降低了 80 倍。雖然，EUV 微影曝光設備的耗電量驚人，但台積電除了透過 EUV 微影曝光設備來提高產能之外，還進一步設計了未公開的創新節能技術，將 EUV 微影曝光設備的的功耗降低了 24%。在此基礎下，台積電還計劃在 2030 年之際，將每套 EUV 微影曝光設備的每片晶圓生產能效提高 1.5 倍。
報導強調，考慮到台積電目前已透過標準型 EUV 微影曝光設備達到了所有製程計畫的改進，這使得台積電能也信心對未來能夠繼續生產尖端晶片充滿信心。儘管競爭對手英特爾已在其未來的 intel18A 以下節點製程中全力採用 Hgih NA EUV 微影曝光設備。但反觀台積電，其目前正在尋求利用其高度優化，且經過時間考驗的標準型 EUV 微影曝光設備推進先進製程的近一步發展，以避免陷入過快轉換製程的成本陷阱，同時也獲得使用成熟技術的在生產上的效益。
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