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標題: 韓國科學家發現全新儲存技術﹐可讓記憶體容量增加1,000倍 [打印本頁]

作者: jiunn36 時間: 2020-8-24 11:04 AM 標題: 韓國科學家發現全新儲存技術﹐可讓記憶體容量增加1,000倍

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　　如何提升記憶體的儲存容量﹐是記憶體產業永不變的目標﹐如今﹐這項進展又有了新突破。根據外國媒體報導﹐韓國UNIST能源與化學工程學院教授與研究團隊發現了一種新的物理現象﹐有望將記憶體晶片的儲存容量提升1,000倍﹔目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。
　　FRAM透過所謂的極化現象(Polarization)儲存訊息﹐優點在於速度更快﹑功耗更低﹐甚至電源關閉後仍能保留儲存的資料﹔而目前對FRAM的技術研究﹐多集中在減小鐵電域(Ferroelectric Domains)大小同時還能保持存儲容量﹔因鐵電域形成(發生自發極化的微小區域)至少需要成千上萬個原子。
　　而報導指出﹐研究團隊﹐發現透過添加一滴電荷到稱為鐵電氧化 Ha(HfO2)的半導體材料﹐可控制4個單獨的原子儲存1位數據﹔經適當應用後﹐記憶體儲存容量可達每平方公分500Tbit﹐是目前快閃記憶體的1,000倍。研究人員表示﹐此技術將有助於加速記憶體縮小﹐且透過這種技術﹐有望將記憶體儲存容量擴大1,000倍﹐同時也有助於研發低成本的FRAM或鐵電場效電晶體(Ferroelectric Field-effect Transistor﹐FeFET)。

作者: gwnchilu 時間: 2020-8-24 09:58 PM

這種超高密度的記憶體，可能問題會出現在讀寫速度
導致未能那麼快真正的商業化

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